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IRF3415STRLPBF  与  IRFS41N15DPBF  区别

型号 IRF3415STRLPBF IRFS41N15DPBF
唯样编号 A-IRF3415STRLPBF A-IRFS41N15DPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 150 V 3.8 W 200 nC Surface Mount Mosfet - TO-263-3 Single N-Channel 150 V 3.1 W 72 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@22A,10V 45mΩ@25A,10V
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) 3.1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 43A 41A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V 2520pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V 110nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V 2520pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3415STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@22A,10V N-Channel 150V 43A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IRFS41N15DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.1W(Ta) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@25A,10V N-Channel 150V 41A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB47N10S-33 Infineon 功率MOSFET

IPB47N10S33ATMA1_100V 47A 33mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPB47N10SL-26 Infineon 功率MOSFET

IPB47N10SL26ATMA1_100V 47A 26mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
AOB254L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 150V 20V 32A 125W 46mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRF3415S Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 43A(Tc) ±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) 42mΩ@22A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

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