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IRF3415STRLPBF  与  AOB254L  区别

型号 IRF3415STRLPBF AOB254L
唯样编号 A-IRF3415STRLPBF A-AOB254L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 150 V 3.8 W 200 nC Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 4
Rds On(Max)@Id,Vgs 42mΩ@22A,10V 46mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 53mΩ
Qgd(nC) - 3
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 9
封装/外壳 D2PAK TO-263
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 43A 32A
Ciss(pF) - 2150
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 51
Td(off)(ns) - 29
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) 125W
Qrr(nC) - 434
VGS(th) - 2.7
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V -
Coss(pF) - 110
Qg*(nC) - 12
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3415STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 42mΩ@22A,10V N-Channel 150V 43A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
IRFS41N15DPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±30V 3.1W(Ta) -55°C~175°C(TJ) 45mΩ@25A,10V N-Channel 150V 41A D2PAK

暂无价格 0 对比
IPB47N10S-33 Infineon 功率MOSFET

IPB47N10S33ATMA1_100V 47A 33mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IPB47N10SL-26 Infineon 功率MOSFET

IPB47N10SL26ATMA1_100V 47A 26mΩ 20V 175W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
AOB254L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 150V 20V 32A 125W 46mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRF3415S Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 150V 43A(Tc) ±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) 42mΩ@22A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比

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