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IRF3205ZSTRLPBF  与  IRL2505STRLPBF  区别

型号 IRF3205ZSTRLPBF IRL2505STRLPBF
唯样编号 A-IRF3205ZSTRLPBF A-IRL2505STRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 170 W 76 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 Single N-Channel 55 V 3.8 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@66A,10V 8mΩ@54A,10V
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V 5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 110A 104A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V 5000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 130nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V 5000pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 130nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3205ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@66A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK6607-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK6607-55C_SOT404 N-Channel 158W 175℃ 2.3V 55V 100A

暂无价格 90 对比
BUK7607-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7607-55B_SOT404 N-Channel 203W 175℃ 3V 55V 75A

¥15.6712 

阶梯数 价格
170: ¥15.6712
400: ¥11.7829
800: ¥9.6581
0 对比
BUK9606-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-55A_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 55V 75A

¥27.7725 

阶梯数 价格
180: ¥27.7725
400: ¥21.6973
800: ¥17.7847
0 对比
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R6-60BS_SOT404 N-Channel 149W 175℃ 3V 60V 92A

暂无价格 0 对比
IRL2505STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@54A,10V N-Channel 55V 104A D2PAK

暂无价格 0 对比

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