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IRF3205ZSTRLPBF  与  BUK6607-55C,118  区别

型号 IRF3205ZSTRLPBF BUK6607-55C,118
唯样编号 A-IRF3205ZSTRLPBF A-BUK6607-55C,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 170 W 76 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@66A,10V -
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) 158W
输出电容 - 381pF
栅极电压Vgs ±20V 2.3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 110A 100A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V -
输入电容 - 3870pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 6.5mΩ@10V,10.2mΩ@4.5V,8.7mΩ@5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 90
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥10.823
100+ :  ¥8.017
400+ :  ¥6.7941
800+ :  ¥6.2331
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3205ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@66A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK6607-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK6607-55C_SOT404 N-Channel 158W 175℃ 2.3V 55V 100A

¥10.823 

阶梯数 价格
10: ¥10.823
100: ¥8.017
400: ¥6.7941
800: ¥6.2331
90 对比
BUK7607-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7607-55B_SOT404 N-Channel 203W 175℃ 3V 55V 75A

¥15.6712 

阶梯数 价格
170: ¥15.6712
400: ¥11.7829
800: ¥9.6581
0 对比
IPB90N06S4L04ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BUK9606-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9606-55A_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 55V 75A

¥27.7725 

阶梯数 价格
180: ¥27.7725
400: ¥21.6973
800: ¥17.7847
0 对比
BUK7610-55AL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-55AL_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 3V 55V 75A

¥17.5299 

阶梯数 价格
190: ¥17.5299
400: ¥13.4845
800: ¥11.9332
0 对比

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