首页 > 商品目录 > > > > IRF3205ZSTRLPBF代替型号比较

IRF3205ZSTRLPBF  与  AUIRF3205ZSTRL  区别

型号 IRF3205ZSTRLPBF AUIRF3205ZSTRL
唯样编号 A-IRF3205ZSTRLPBF A-AUIRF3205ZSTRL
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 170 W 76 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
上升时间 - 95ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 76nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
正向跨导 - 最小值 - 71S
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 110A 44A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 67ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V 3450pF @ 25V
导通电阻Rds(On) 6.5mΩ@66A,10V 6.5mΩ
高度 - 4.4mm
功率耗散Pd 170W(Tc) 170W
漏源极电压Vds 55V 55V
典型关闭延迟时间 - 45ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V 25V
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 18ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3205ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@66A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK6607-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 6.5mΩ@10V,10.2mΩ@4.5V,8.7mΩ@5V 158W 175°C 2.3V 55V 100A

¥24.5313 

阶梯数 价格
5: ¥24.5313
100: ¥18.1713
400: ¥13.4602
800: ¥11.7045
90 对比
BUK7607-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 7.1mΩ@10V 203W 175°C 3V 55V 75A

暂无价格 0 对比
AUIRF3205ZSTRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 44A 6.5mΩ 20V 170W N-Channel TO-263-3 55V 车规

暂无价格 0 对比
BUK9606-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 5.8mΩ@10V,6.7mΩ@4.5V,6.3mΩ@5V 300W 175°C 1.5V 55V 75A

暂无价格 0 对比
IRL2505STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@54A,10V N-Channel 55V 104A D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售