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IRF3205ZLPBF  与  IRF2804LPBF  区别

型号 IRF3205ZLPBF IRF2804LPBF
唯样编号 A-IRF3205ZLPBF A-IRF2804LPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 170 W 76 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262 Single N-Channel 40 V 330 W 160 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.5mΩ@66A,10V 2.3mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 55V 40V
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) 300W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-262 TO-262
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 110A 280A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3450pF @ 25V 6450pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 240nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3205ZLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6.5mΩ@66A,10V N-Channel 55V 110A TO-262

暂无价格 0 当前型号
IRF2804LPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

2.3mΩ@75A,10V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 40V 280A TO-262

暂无价格 0 对比
IRF3205ZL Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 55V 75A(Tc) ±20V 170W(Tc) 6.5mΩ@66A,10V -55°C~175°C(TJ) TO262

暂无价格 0 对比

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