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IRF3205STRLPBF  与  SPB80N06S-08  区别

型号 IRF3205STRLPBF SPB80N06S-08
唯样编号 A-IRF3205STRLPBF A-SPB80N06S-08
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@62A,10V 8mΩ
上升时间 - 53ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 73S
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 110A 80A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 32ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 300W
典型关闭延迟时间 - 54ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 22ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3205STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8mΩ@62A,10V N-Channel 55V 110A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比
IPB45N06S409ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R6-60BS_SOT404 N-Channel 149W 175℃ 3V 60V 92A

¥6.7363 

阶梯数 价格
210: ¥6.7363
400: ¥5.7087
800: ¥5.2373
0 对比
SPB80N06S-08 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB80N06S08ATMA1_55V 80A 8mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比

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