首页 > 商品目录 > > > > IRF3205PBF代替型号比较

IRF3205PBF  与  AOT460  区别

型号 IRF3205PBF AOT460
唯样编号 A-IRF3205PBF A-AOT460
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 8 mOhm 146 nC 200 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 190
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@62A,10V 7.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 19
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 18
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 110A 85A
Ciss(pF) - 3800
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 53
Td(off)(ns) - 44
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 268W
Qrr(nC) - 98
VGS(th) - 4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
Coss(pF) - 430
Qg*(nC) - 33
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3205PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) 8mΩ@62A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 110A 55V TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 24,000 对比
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥7.59 

阶梯数 价格
7: ¥7.59
69 对比
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
AOT460 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 85A 268W 7.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
PHP191NQ06LT,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHP191NQ06LT_SOT78 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 55V 75A

¥14.6563 

阶梯数 价格
20: ¥14.6563
50: ¥12.2136
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售