首页 > 商品目录 > > > > IRF2907ZPBF代替型号比较

IRF2907ZPBF  与  STP140NF75  区别

型号 IRF2907ZPBF STP140NF75
唯样编号 A-IRF2907ZPBF A3-STP140NF75
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 300 W 180 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB N-Channel 75 V 7.5 mO Flange Mount STripFET™III Power MosFet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ 7.5mΩ@70A,10V
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 330W 310W(Tc)
Qg-栅极电荷 180nC -
栅极电压Vgs 20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 170A 120A
系列 HEXFET® STripFET™ III
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7500pF @ 25V 5000pF @ 25V
长度 10mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 270nC @ 10V 218nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7500pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 270nC @ 10V -
高度 15.65mm -
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2907ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 75V 170A 4.5mΩ 20V 330W N-Channel

暂无价格 0 当前型号
STP140NF75 STMicro  数据手册 功率MOSFET

±20V 310W(Tc) 7.5mΩ@70A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 75V 120A

暂无价格 3,000 对比
STP160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN005-75P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN005-75P_SOT78 N-Channel 230W 175℃ 3V 75V 75A

¥14.0254 

阶梯数 价格
20: ¥14.0254
50: ¥11.4962
0 对比
IRF1607PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 380W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.5mΩ@85A,10V N-Channel 80V 142A TO-220AB

暂无价格 0 对比
STP160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售