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IRF2807ZSTRLPBF  与  AOB470L  区别

型号 IRF2807ZSTRLPBF AOB470L
唯样编号 A-IRF2807ZSTRLPBF A36-AOB470L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 180
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.4mΩ@53A,10V 10.2mΩ@30A,10V
Qgd(nC) - 18
栅极电压Vgs ±20V ±25V
Td(on)(ns) - 21
封装/外壳 D2PAK TO-263
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id 89A 100A
Ciss(pF) - 4700
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3270pF @ 25V -
Trr(ns) - 53
Td(off)(ns) - 70
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) 268W
Qrr(nC) - 143
VGS(th) - 4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3270pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
Coss(pF) - 400
Qg*(nC) - 114*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2807ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9.4mΩ@53A,10V N-Channel 75V 89A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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BUK9609-75A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
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¥13.0452 

阶梯数 价格
200: ¥13.0452
400: ¥10.6928
800: ¥9.2981
0 对比

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