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IRF2807STRLPBF  与  PSMN017-80BS,118  区别

型号 IRF2807STRLPBF PSMN017-80BS,118
唯样编号 A-IRF2807STRLPBF A-PSMN017-80BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 13 mOhm 160 nC 230 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13mΩ@43A,10V -
漏源极电压Vds 75V 80V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 103W
输出电容 - 154pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 82A 50A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V -
输入电容 - 1573pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 160nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 17mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 160nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
200+ :  ¥6.7304
400+ :  ¥5.5167
800+ :  ¥4.7971
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2807STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13mΩ@43A,10V N-Channel 75V 82A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 5,000 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

¥7.777 

阶梯数 价格
7: ¥7.777
100: ¥6.6
990 对比
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

暂无价格 564 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比
PSMN017-80BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN017-80BS_SOT404 N-Channel 103W 175℃ 3V 80V 50A

¥6.7304 

阶梯数 价格
200: ¥6.7304
400: ¥5.5167
800: ¥4.7971
0 对比

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