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IRF2807STRLPBF  与  IRF2807STRRPBF  区别

型号 IRF2807STRLPBF IRF2807STRRPBF
唯样编号 A-IRF2807STRLPBF A-IRF2807STRRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 13 mOhm 160 nC 230 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 13mΩ@43A,10V 13mΩ@43A,10V
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 230W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 82A 82A(Tc)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 160nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V 3820pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 160nC @ 10V 160nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2807STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 13mΩ@43A,10V N-Channel 75V 82A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 5,000 对比
NTB60N06T4G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

D²PAK

暂无价格 564 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比
IRF2807STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 75V 82A(Tc) ±20V 230W(Tc) 13mΩ@43A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK

暂无价格 0 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比

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