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IRF2805STRLPBF  与  BUK764R0-55B,118  区别

型号 IRF2805STRLPBF BUK764R0-55B,118
唯样编号 A-IRF2805STRLPBF A36-BUK764R0-55B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 55 V 4.7 mOhm 200 W Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-262 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@104A,10V -
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 300W
输出电容 - 1054pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 135A 75A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
输入电容 - 5082pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2805STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@104A,10V N-Channel 55V 135A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 10,000 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

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BUK763R9-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 100 对比
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PSMN4R6-60BS_SOT404 N-Channel 211W 175℃ 3V 60V 100A

¥10.0823 

阶梯数 价格
200: ¥10.0823
400: ¥8.2642
800: ¥7.1863
0 对比
BUK764R0-55B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK764R0-55B_SOT404 N-Channel 300W 175℃ 3V 55V 75A

暂无价格 0 对比

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