IRF2805STRLPBF 与 STB160N75F3 区别
| 型号 | IRF2805STRLPBF | STB160N75F3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF2805STRLPBF | A3-STB160N75F3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 55 V 4.7 mOhm 200 W Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-262 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 200W(Tc) | - |
| 漏源极电压Vds | 55V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 135A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5110pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 230nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5110pF @ 25V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 4.7mΩ@104A,10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 230nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 10,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF2805STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@104A,10V N-Channel 55V 135A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
|
STB160N75F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 10,000 | 对比 | ||||||||||
|
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STB160N75F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
￥20.004
|
878 | 对比 | ||||||||||
|
BUK763R9-60E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 3.9mΩ@10V 263W 175°C 3V 60V 100A |
￥35.4956
|
100 | 对比 | ||||||||||
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PSMN4R6-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 4.4mΩ@10V 211W 175°C 3V 60V 100A |
￥12.3067
|
0 | 对比 | ||||||||||
|
STB100NF04T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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