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IRF2805STRLPBF  与  STB100NF04T4  区别

型号 IRF2805STRLPBF STB100NF04T4
唯样编号 A-IRF2805STRLPBF A-STB100NF04T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 55 V 4.7 mOhm 200 W Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-262 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@104A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 135A -
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2805STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK763R9-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R9-60E_SOT404

¥15.7496 

阶梯数 价格
10: ¥15.7496
100: ¥11.6664
400: ¥9.8868
800: ¥9.0705
100 对比
PSMN4R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R6-60BS_SOT404

¥8.853 

阶梯数 价格
210: ¥8.853
400: ¥7.5025
800: ¥6.883
0 对比
IPB100N04S2L03ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
BUK664R4-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK664R4-55C_SOT404

¥16.2383 

阶梯数 价格
170: ¥16.2383
400: ¥12.2092
800: ¥10.0076
0 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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