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IRF2805STRLPBF  与  IPB100N04S2L03ATMA1  区别

型号 IRF2805STRLPBF IPB100N04S2L03ATMA1
唯样编号 A-IRF2805STRLPBF A-IPB100N04S2L03ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 55 V 4.7 mOhm 200 W Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-262 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@104A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6000pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 135A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 230nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 100A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2805STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK763R9-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R9-60E_SOT404

¥15.7496 

阶梯数 价格
10: ¥15.7496
100: ¥11.6664
400: ¥9.8868
800: ¥9.0705
100 对比
PSMN4R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
210: ¥8.853
400: ¥7.5025
800: ¥6.883
0 对比
IPB100N04S2L03ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
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BUK664R4-55C_SOT404

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阶梯数 价格
170: ¥16.2383
400: ¥12.2092
800: ¥10.0076
0 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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