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IRF2805STRLPBF  与  BUK763R9-60E,118  区别

型号 IRF2805STRLPBF BUK763R9-60E,118
唯样编号 A-IRF2805STRLPBF A-BUK763R9-60E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 55 V 4.7 mOhm 200 W Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-262 MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@104A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 263W
输出电容 - 737pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 135A 100A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
输入电容 - 5609pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.9mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥15.7496
100+ :  ¥11.6664
400+ :  ¥9.8868
800+ :  ¥9.0705
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2805STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK763R9-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R9-60E_SOT404

¥15.7496 

阶梯数 价格
10: ¥15.7496
100: ¥11.6664
400: ¥9.8868
800: ¥9.0705
100 对比
PSMN4R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R6-60BS_SOT404

¥8.853 

阶梯数 价格
210: ¥8.853
400: ¥7.5025
800: ¥6.883
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IPB100N04S2L03ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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BUK664R4-55C_SOT404

¥16.2383 

阶梯数 价格
170: ¥16.2383
400: ¥12.2092
800: ¥10.0076
0 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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