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IRF2805STRLPBF  与  BUK664R4-55C,118  区别

型号 IRF2805STRLPBF BUK664R4-55C,118
唯样编号 A-IRF2805STRLPBF A-BUK664R4-55C,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 55 V 4.7 mOhm 200 W Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-262 MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@104A,10V -
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 204W
输出电容 - 550pF
栅极电压Vgs ±20V 2.3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 135A 100A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
输入电容 - 5800pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 6.6mΩ@5V,4.9mΩ@10V,7.7mΩ@4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
170+ :  ¥16.2383
400+ :  ¥12.2092
800+ :  ¥10.0076
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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D2PAK

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阶梯数 价格
170: ¥16.2383
400: ¥12.2092
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