IRF2805PBF 与 SUP50020EL-GE3 区别
| 型号 | IRF2805PBF | SUP50020EL-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF2805PBF | A3t-SUP50020EL-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 55 V 4.7 mOhm 230 nC 330 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 | N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.7mΩ@104A,10V | 2.8mΩ |
| 漏源极电压Vds | 55V | 1.2V |
| Pd-功率耗散(Max) | 330W(Tc) | 375W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220AB-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 75A | 120A |
| 系列 | HEXFET® | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5110pF @ 25V | 11113pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 230nC @ 10V | 126nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5110pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 230nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF2805PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@104A,10V N-Channel 55V 75A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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AOT460 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 60V 20V 85A 268W 7.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PHP191NQ06LT,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 300W 175°C 1.5V 55V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
PSMN005-75P,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 230W 175°C 3V 75V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SUP50020EL-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-220AB-3 N-Channel 120A 2.8mΩ 1.2V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
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SUP50020EL-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) TO-220AB-3 N-Channel 120A 2.8mΩ 1.2V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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