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IRF2805PBF  与  DMTH6004SCT  区别

型号 IRF2805PBF DMTH6004SCT
唯样编号 A-IRF2805PBF A-DMTH6004SCT
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 4.7 mOhm 230 nC 330 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@104A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 330W(Tc) 2.8W(Ta),136W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.65mΩ@100A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4556 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 95.4 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 75A 100A(Tc)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
驱动电压 - 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2805PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@104A,10V N-Channel 55V 75A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
AOT460 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 85A 268W 7.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
DMTH6004SCT Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.8W(Ta),136W(Tc) ±20V TO-220-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 100A(Tc)

暂无价格 0 对比
AUIRF2805 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 175A 4.7mΩ 330W 车规

暂无价格 0 对比
PHP191NQ06LT,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHP191NQ06LT_SOT78 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 55V 75A

¥13.589 

阶梯数 价格
20: ¥13.589
50: ¥11.1385
0 对比
PSMN005-75P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN005-75P_SOT78 N-Channel 230W 175℃ 3V 75V 75A

¥14.0254 

阶梯数 价格
20: ¥14.0254
50: ¥11.4962
0 对比

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