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IRF2805PBF  与  AOT460  区别

型号 IRF2805PBF AOT460
唯样编号 A-IRF2805PBF A-AOT460
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 4.7 mOhm 230 nC 330 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 190
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@104A,10V 7.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 19
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 18
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 75A 85A
Ciss(pF) - 3800
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 53
Td(off)(ns) - 44
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 330W(Tc) 268W
Qrr(nC) - 98
VGS(th) - 4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5110pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V -
Coss(pF) - 430
Qg*(nC) - 33
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2805PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@104A,10V N-Channel 55V 75A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
AOT460 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 85A 268W 7.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
DMTH6004SCT Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.8W(Ta),136W(Tc) ±20V TO-220-3 -55℃~175℃(TJ) 60V 100A(Tc)

暂无价格 0 对比
AUIRF2805 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 175A 4.7mΩ 330W 车规

暂无价格 0 对比
PHP191NQ06LT,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHP191NQ06LT_SOT78 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 55V 75A

¥13.589 

阶梯数 价格
20: ¥13.589
50: ¥11.1385
0 对比
PSMN005-75P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN005-75P_SOT78 N-Channel 230W 175℃ 3V 75V 75A

¥14.0254 

阶梯数 价格
20: ¥14.0254
50: ¥11.4962
0 对比

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