首页 > 商品目录 > > > > IRF2804STRL7PP代替型号比较

IRF2804STRL7PP  与  STB100NF04T4  区别

型号 IRF2804STRL7PP STB100NF04T4
唯样编号 A-IRF2804STRL7PP A3-STB100NF04T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 1.6 mOhm 260 nC 330 W Surface Mount Mosfet - TO-263-7 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.6mΩ@160A,10V -
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 330W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D2PAK(7-Lead) TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 280A -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6930pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6930pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC -
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2804STRL7PP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 330W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 1.6mΩ@160A,10V N-Channel 40V 280A D2PAK(7-Lead)

暂无价格 0 当前型号
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK661R9-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK661R9-40C_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 2.3V 40V 120A

¥31.2799 

阶梯数 价格
180: ¥31.2799
400: ¥24.4374
800: ¥20.0307
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售