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IRF2804PBF  与  IPP041N04NGXKSA1  区别

型号 IRF2804PBF IPP041N04NGXKSA1
唯样编号 A-IRF2804PBF A-IPP041N04NGXKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 40 V 300 W 240 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 94W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.3mΩ@75A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4500pF @ 20V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 280A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.1 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6450pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 45uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6450pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2804PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.3mΩ@75A,10V N-Channel 40V 280A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRF2204PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 40V 210A 3.6mΩ 20V 330W N-Channel

暂无价格 0 对比
IPP039N04L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP039N04LGXKSA1_40V 80A 3.9mΩ@80A,10V ±20V 94W N-Channel -55°C~175°C TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN2R2-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R2-40PS_SOT78 N-Channel 306W 175℃ 3V 40V 100A

¥15.5075 

阶梯数 价格
20: ¥15.5075
50: ¥12.7111
0 对比
AOT460 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 85A 268W 7.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPP041N04NGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP041N04N G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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