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IRF2804PBF  与  AOT460  区别

型号 IRF2804PBF AOT460
唯样编号 A-IRF2804PBF A-AOT460
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 40 V 300 W 240 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 190
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.3mΩ@75A,10V 7.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 19
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 18
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 280A 85A
Ciss(pF) - 3800
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6450pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 53
Td(off)(ns) - 44
漏源极电压Vds 40V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 268W
Qrr(nC) - 98
VGS(th) - 4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6450pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V -
Coss(pF) - 430
Qg*(nC) - 33
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2804PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.3mΩ@75A,10V N-Channel 40V 280A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IRF2204PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 40V 210A 3.6mΩ 20V 330W N-Channel

暂无价格 0 对比
PSMN4R5-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R5-40PS_SOT78 N-Channel 148W 175°C 3V 40V 100A

暂无价格 0 对比
PSMN8R0-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R0-40PS_SOT78 N-Channel 86W 175°C 3V 40V 77A

¥6.4837 

阶梯数 价格
20: ¥6.4837
50: ¥5.3145
0 对比
PSMN2R8-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R8-40PS_SOT78 N-Channel 211W 175°C 3V 40V 100A

¥11.4842 

阶梯数 价格
20: ¥11.4842
50: ¥9.5702
0 对比
AOT460 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 60V 20V 85A 268W 7.5mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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