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IRF2804LPBF  与  AOWF240  区别

型号 IRF2804LPBF AOWF240
唯样编号 A-IRF2804LPBF A-AOWF240
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 330 W 160 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.3mΩ@75A,10V 2.6 mΩ @ 20A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 2.1W(Ta),33.3W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-262 -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 280A 21A(Ta),83A(Tc)
栅极电荷Qg - 72nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6450pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2804LPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

2.3mΩ@75A,10V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) N-Channel 40V 280A TO-262

暂无价格 0 当前型号
AOWF240 AOS  数据手册 功率MOSFET

21A(Ta),83A(Tc) N-Channel ±20V 2.6 mΩ @ 20A,10V 2.1W(Ta),33.3W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 40V

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