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IRF2204PBF  与  PSMN2R8-40PS,127  区别

型号 IRF2204PBF PSMN2R8-40PS,127
唯样编号 A-IRF2204PBF A-PSMN2R8-40PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6mΩ -
Qg-栅极电荷 130nC -
栅极电压Vgs 20V 3V
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 210A 100A
配置 Single -
长度 10mm -
输入电容 - 4491pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5890pF @ 25V -
高度 15.65mm -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 330W 211W
输出电容 - 937pF
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5890pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 2.8mΩ@10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥11.4842
50+ :  ¥9.5702
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2204PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 40V 210A 3.6mΩ 20V 330W N-Channel

暂无价格 0 当前型号
PSMN8R0-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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20: ¥6.4837
50: ¥5.3145
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暂无价格 0 对比
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PSMN2R2-40PS_SOT78 N-Channel 306W 175℃ 3V 40V 100A

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阶梯数 价格
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50: ¥12.7111
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PSMN4R5-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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¥11.4842 

阶梯数 价格
20: ¥11.4842
50: ¥9.5702
0 对比

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