首页 > 商品目录 > > > > IRF1407PBF代替型号比较

IRF1407PBF  与  PSMN017-80PS,127  区别

型号 IRF1407PBF PSMN017-80PS,127
唯样编号 A-IRF1407PBF A-PSMN017-80PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 330 W 160 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB PSMN01 Series 80 V 17 mOhm N-Channel TrenchMOS Transistor - TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.8mΩ -
Qg-栅极电荷 160 nC -
栅极电压Vgs 20V 3V
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 130A 50A
配置 Single -
长度 10mm -
输入电容 - 1573pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF @ 25V -
高度 15.65mm -
漏源极电压Vds 75V 80V
Pd-功率耗散(Max) 330W 103W
输出电容 - 154pF
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 17mΩ@10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥6.751
50+ :  ¥5.5336
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1407PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 1,000 当前型号
STP75NF75 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥2.904
1,000: ¥2.695
1,975 对比
STP75NF75 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP45N06S409AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN017-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN017-80PS_SOT78

¥6.751 

阶梯数 价格
20: ¥6.751
50: ¥5.5336
0 对比
STP75NF75 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售