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IRF1405STRLPBF  与  IPB054N06N3GATMA1  区别

型号 IRF1405STRLPBF IPB054N06N3GATMA1
唯样编号 A-IRF1405STRLPBF A-IPB054N06N3GATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 5.3 mOhm 260 nC 200 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 115W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.3mΩ@101A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6600pF @ 30V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 131A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 82nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.4 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5480pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 58uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5480pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1405STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK763R9-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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阶梯数 价格
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BUK7610-55AL_SOT404

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阶梯数 价格
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0 对比
IPB054N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N06N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

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