首页 > 商品目录 > > > > IRF1405STRLPBF代替型号比较

IRF1405STRLPBF  与  BUK664R4-55C,118  区别

型号 IRF1405STRLPBF BUK664R4-55C,118
唯样编号 A-IRF1405STRLPBF A-BUK664R4-55C,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 5.3 mOhm 260 nC 200 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.3mΩ@101A,10V -
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 204W
输出电容 - 550pF
栅极电压Vgs ±20V 2.3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 131A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5480pF @ 25V -
输入电容 - 5800pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 6.6mΩ@5V,4.9mΩ@10V,7.7mΩ@4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5480pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
170+ :  ¥16.2383
400+ :  ¥12.2092
800+ :  ¥10.0076
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1405STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK763R9-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R9-60E_SOT404

¥15.7496 

阶梯数 价格
10: ¥15.7496
100: ¥11.6664
400: ¥9.8868
800: ¥9.0705
100 对比
PSMN4R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R6-60BS_SOT404

¥8.853 

阶梯数 价格
210: ¥8.853
400: ¥7.5025
800: ¥6.883
0 对比
BUK7610-55AL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-55AL_SOT404

¥17.5299 

阶梯数 价格
190: ¥17.5299
400: ¥13.4845
800: ¥11.9332
0 对比
BUK664R4-55C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK664R4-55C_SOT404

¥16.2383 

阶梯数 价格
170: ¥16.2383
400: ¥12.2092
800: ¥10.0076
0 对比
IPB054N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N06N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售