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IRF1404STRLPBF  与  IRF1404STRRPBF  区别

型号 IRF1404STRLPBF IRF1404STRRPBF
唯样编号 A-IRF1404STRLPBF A-IRF1404STRRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 0.004 Ohm 200 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 Single N-Channel 40 V 3.8 W 160 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@95A,10V 4mΩ@95A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 162A 162A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7360pF @ 25V 7360pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V 200nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7360pF @ 25V 7360pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V 200nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1404STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@95A,10V N-Channel 40V 162A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
PSMN4R5-40BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R5-40BS_SOT404 N-Channel 148W 175℃ 3V 40V 100A

¥7.9182 

阶梯数 价格
200: ¥7.9182
400: ¥6.4903
800: ¥5.6437
0 对比
BUK765R2-40B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK765R2-40B_SOT404 N-Channel 203W 175℃ 3V 40V 75A

¥17.4069 

阶梯数 价格
180: ¥17.4069
400: ¥13.5991
800: ¥11.1468
0 对比
IRF1404STRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@95A,10V N-Channel 40V 162A D2PAK

暂无价格 0 对比
PSMN4R5-40BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R5-40BS_SOT404 N-Channel 148W 175℃ 3V 40V 100A

暂无价格 0 对比

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