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IRF1404STRLPBF  与  IPB90N06S404ATMA1  区别

型号 IRF1404STRLPBF IPB90N06S404ATMA1
唯样编号 A-IRF1404STRLPBF A-IPB90N06S404ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 0.004 Ohm 200 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 150W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4mΩ@95A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 10400pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 162A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 128nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.7 毫欧 @ 90A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7360pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),200W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 90uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7360pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 90A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1404STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4mΩ@95A,10V N-Channel 40V 162A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
BUK763R6-40C,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R6-40C_SOT404 N-Channel 203W 175℃ 3V 40V 100A

¥19.0073 

阶梯数 价格
1: ¥19.0073
100: ¥14.0795
400: ¥10.8304
800: ¥9.5844
350 对比
PSMN4R5-40BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R5-40BS_SOT404 N-Channel 148W 175℃ 3V 40V 100A

¥7.9182 

阶梯数 价格
200: ¥7.9182
400: ¥6.4903
800: ¥5.6437
0 对比
IPB90N06S404ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPB80N04S204ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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