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IRF1310NSTRLPBF  与  IRLR3110ZPBF  区别

型号 IRF1310NSTRLPBF IRLR3110ZPBF
唯样编号 A-IRF1310NSTRLPBF A-IRLR3110ZPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 160 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 36mΩ@22A,10V 14mΩ@38A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),160W(Tc) 140W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D-Pak
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 42A 63A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 2.5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V 3980pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 48nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 2.5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V 3980pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 48nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1310NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.8W(Ta),160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 36mΩ@22A,10V N-Channel 100V 42A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB30NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
BUK9640-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9640-100A_SOT404 N-Channel 158W 175℃ 1.5V 100V 39A

¥7.7244 

阶梯数 价格
200: ¥7.7244
400: ¥6.3314
800: ¥5.5056
0 对比
BUK7640-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7640-100A_SOT404 N-Channel 138W 175℃ 3V 100V 37A

¥13.5938 

阶梯数 价格
180: ¥13.5938
400: ¥10.6202
800: ¥8.7051
0 对比
IRLR3110ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 14mΩ@38A,10V N-Channel 100V 63A D-Pak

暂无价格 0 对比
STB30NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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