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IRF1310NPBF  与  STP30NF10  区别

型号 IRF1310NPBF STP30NF10
唯样编号 A-IRF1310NPBF A36-STP30NF10
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 160 W 110 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 36mΩ@22A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 160W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 42A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥3.157
100+ :  ¥2.519
1,000+ :  ¥2.409
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1310NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 160W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 36mΩ@22A,10V N-Channel 100V 42A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP30NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 40,000 对比
STP30NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥3.157 

阶梯数 价格
20: ¥3.157
100: ¥2.519
1,000: ¥2.409
1,000 对比
AOT2916L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 100V ±20V 23A 41.5W 34mΩ@10A,10V -55°C~150°C

¥4.898 

阶梯数 价格
1: ¥4.898
100: ¥3.5294
500: ¥3.038
1,000: ¥2.4
999 对比
STP30NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN009-100P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN009-100P_SOT78 N-Channel 230W 175℃ 3V 100V 75A

¥14.0254 

阶梯数 价格
20: ¥14.0254
50: ¥11.4962
0 对比

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