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IRF1104PBF  与  IPP45N06S409AKSA1  区别

型号 IRF1104PBF IPP45N06S409AKSA1
唯样编号 A-IRF1104PBF A-IPP45N06S409AKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 71W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@60A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3785pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 47nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 9.4 毫欧 @ 45A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 40V -
Pd-功率耗散(Max) 170W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 34uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 93nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 45A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 93nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1104PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 170W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@60A,10V N-Channel 40V 100A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IPP45N06S409AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
PHP191NQ06LT,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHP191NQ06LT_SOT78 N-Channel 300W 175℃ 1.5V 55V 75A

¥13.589 

阶梯数 价格
20: ¥13.589
50: ¥11.1385
0 对比
PSMN2R2-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R2-40PS_SOT78 N-Channel 306W 175℃ 3V 40V 100A

¥15.5075 

阶梯数 价格
20: ¥15.5075
50: ¥12.7111
0 对比
IRF1104 Infineon  数据手册 功率MOSFET

9mΩ 40V TO-220 N-Channel 20V 100A

暂无价格 0 对比

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