首页 > 商品目录 > > > > IRF1018ESTRLPBF代替型号比较

IRF1018ESTRLPBF  与  BUK768R3-60E,118  区别

型号 IRF1018ESTRLPBF BUK768R3-60E,118
唯样编号 A-IRF1018ESTRLPBF A3n-BUK768R3-60E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 8.4 mOhm 69 nC 110 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 110W(Tc) 137W
漏源极电压Vds 60V 60V
输出电容 - 319pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 79A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
输入电容 - 2188pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2290pF @ 50V -
导通电阻Rds(On) 8.4mΩ@47A,10V 8.3mΩ@10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 69nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 600
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
800+ :  ¥6.6652
1,600+ :  ¥6.3986
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1018ESTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.4mΩ@47A,10V N-Channel 60V 79A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
BUK768R3-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 8.3mΩ@10V 137W 175°C 3V 60V 75A

¥6.6652 

阶梯数 价格
800: ¥6.6652
1,600: ¥6.3986
600 对比
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 7.8mΩ@10V 149W 175°C 3V 60V 92A

¥9.6652 

阶梯数 价格
800: ¥9.6652
0 对比
BUK768R3-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 8.3mΩ@10V 137W 175°C 3V 60V 75A

¥10.6454 

阶梯数 价格
800: ¥10.6454
0 对比
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 7.8mΩ@10V 149W 175°C 3V 60V 92A

¥6.0514 

阶梯数 价格
800: ¥6.0514
1,600: ¥5.8093
0 对比
BUK7611-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 11mΩ@10V 166W 175°C 3V 55V 75A

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>
在
线
销
售

在线销售