IRF1018EPBF 与 PSMN4R6-60PS,127 区别
| 型号 | IRF1018EPBF | PSMN4R6-60PS,127 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF1018EPBF | A3t-PSMN4R6-60PS,127 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 60 V 110 W 46 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.4mΩ@47A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 110W(Tc) | 211W |
| 输出电容 | - | 567pF |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 3V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-220AB | SOT78 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | 175°C |
| 连续漏极电流Id | 79A | 100A |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 100µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2290pF @ 50V | - |
| 输入电容 | - | 4426pF |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 69nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 4.6mΩ@10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 100µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2290pF @ 50V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 69nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1018EPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.4mΩ@47A,10V N-Channel 60V 79A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STP65NF06 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 132,750 | 对比 |
|
|
STP60NF06 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 24,450 | 对比 |
|
|
IRF1010EPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@50A,10V N-Channel 60V 84A TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
|
STP60NF06 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 8 | 对比 |
|
PSMN4R6-60PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 211W 175°C 3V 60V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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