IRF1018EPBF 与 AOT460 区别
| 型号 | IRF1018EPBF | AOT460 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF1018EPBF | A-AOT460 |
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 60 V 110 W 46 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 190 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.4mΩ@47A,10V | 7.5mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Qgd(nC) | - | 19 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| Td(on)(ns) | - | 18 |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 79A | 85A |
| Ciss(pF) | - | 3800 |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2290pF @ 50V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 53 |
| Td(off)(ns) | - | 44 |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 110W(Tc) | 268W |
| Qrr(nC) | - | 98 |
| VGS(th) | - | 4 |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2290pF @ 50V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 69nC @ 10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 69nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 430 |
| Qg*(nC) | - | 33 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1018EPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.4mΩ@47A,10V N-Channel 60V 79A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
STP65NF06 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 137,700 | 对比 |
|
STP60NF06 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 24,450 | 对比 |
|
IRF1010EPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@50A,10V N-Channel 60V 84A TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
AOT460 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 60V 20V 85A 268W 7.5mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRFZ44VZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 92W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@34A,10V N-Channel 60V 57A TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |