IRF1010ZSTRLPBF 与 STB60NF06T4 区别
| 型号 | IRF1010ZSTRLPBF | STB60NF06T4 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF1010ZSTRLPBF | A3-STB60NF06T4 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 140W(Tc) | - |
| 漏源极电压Vds | 55V | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 94A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2840pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 95nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2840pF @ 25V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 7.5mΩ@75A,10V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 95nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1010ZSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 7.5mΩ@75A,10V N-Channel 55V 94A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
|
STB60NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A |
￥7.296
|
949 | 对比 | ||||||
|
STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
PSMN7R6-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 7.8mΩ@10V 149W 175°C 3V 60V 92A |
￥6.0514
|
0 | 对比 | ||||||
|
|
BUK9609-40B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 9mΩ@5V,7mΩ@10V,10mΩ@4.5V 157W 175°C 1.5V 40V 75A |
￥6.7696
|
0 | 对比 | ||||||
|
|
BUK9608-55A,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 7.5mΩ@10V,8mΩ@5V,8.5mΩ@4.5V 253W 175°C 1.5V 55V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
