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IRF1010NSTRLPBF  与  PHB110NQ08T,118  区别

型号 IRF1010NSTRLPBF PHB110NQ08T,118
唯样编号 A-IRF1010NSTRLPBF A36-PHB110NQ08T,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 11 mOhm 120 nC 180 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ@43A,10V -
漏源极电压Vds 55V 75V
Pd-功率耗散(Max) 180W(Tc) 230W
输出电容 - 840pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175°C
连续漏极电流Id 85A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
输入电容 - 4860pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 9mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1010NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
PHB110NQ08T,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 230W 175°C 3V 75V 75A

暂无价格 0 对比
PSMN7R6-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 149W 175°C 3V 60V 92A

暂无价格 0 对比
STB60NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB75NF75LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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