IRF1010NSTRLPBF 与 IRF1010NSTRRPBF 区别
| 型号 | IRF1010NSTRLPBF | IRF1010NSTRRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF1010NSTRLPBF | A-IRF1010NSTRRPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 55 V 11 mOhm 120 nC 180 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 180W(Tc) | 180W(Tc) |
| 漏源极电压Vds | 55V | 55V |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | D2PAK | D2PAK |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 85A | 85A |
| 系列 | HEXFET® | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3210pF @ 25V | 3210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | 120nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3210pF @ 25V | 3210pF @ 25V |
| 导通电阻Rds(On) | 11mΩ@43A,10V | 11mΩ@43A,10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | 120nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF1010NSTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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STB60NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A |
￥7.296
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949 | 对比 | ||||||
|
PSMN015-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 14.8mΩ@10V 86W 175°C 3V 60V 50A |
￥7.7297
|
0 | 对比 | ||||||
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STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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IRF1010NSTRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 180W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 11mΩ@43A,10V N-Channel 55V 85A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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PSMN7R6-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 7.8mΩ@10V 149W 175°C 3V 60V 92A |
￥6.0514
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0 | 对比 |
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