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IRF1010EZSTRLP  与  STB60NF06LT4  区别

型号 IRF1010EZSTRLP STB60NF06LT4
唯样编号 A-IRF1010EZSTRLP A36-STB60NF06LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 140 W 86 nC Surface Mount Power MosFet - D2PAK-3 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.35 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.5mΩ@51A,10V 14mΩ@30A,10V
正向跨导-最小值 - 20 S
上升时间 - 220 ns
栅极电压Vgs ±20V ±15V
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -65°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 84A 60A
配置 - Single
长度 - 10.4 mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 5V,10V
下降时间 - 30 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2810pF @ 25V -
高度 - 4.6 mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 110W(Tc)
典型关闭延迟时间 - 55 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® STB
通道数量 - 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 100µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2810pF @ 25V 2000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 10V 66nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 - 35 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 86nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 990
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
7+ :  ¥7.777
100+ :  ¥6.6
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1010EZSTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 8.5mΩ@51A,10V N-Channel 60V 84A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
STB60NF06T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 2,000 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

¥7.777 

阶梯数 价格
7: ¥7.777
100: ¥6.6
990 对比
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

±15V 110W(Tc) 14mΩ@30A,10V -65°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 60V 60A

暂无价格 0 对比
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