IRF1010ESTRLPBF 与 STB55NF06T4 区别
| 型号 | IRF1010ESTRLPBF | STB55NF06T4 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF1010ESTRLPBF | A3-STB55NF06T4 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | Single HexFet 60 V 200 W 130 nC Surface Mount Mosfet - TO-263-3 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12mΩ@50A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 60V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 200W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3 |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 84A | - |
| 系列 | HEXFET® | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3210pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 10V | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3210pF @ 25V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 4,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1010ESTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@50A,10V N-Channel 60V 84A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STB55NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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NTB60N06T4G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
D²PAK |
暂无价格 | 564 | 对比 |
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STB55NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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|
STB60NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STB75NF75LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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