IRF1010EPBF 与 STP80NF55-08 区别
| 型号 | IRF1010EPBF | STP80NF55-08 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF1010EPBF | A36-STP80NF55-08 | ||
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | Single N-Channel 60 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB | MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 12mΩ@50A,10V | - | ||
| 漏源极电压Vds | 60V | - | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 200W(Tc) | - | ||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||
| FET类型 | N-Channel | - | ||
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 | ||
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | - | ||
| 连续漏极电流Id | 84A | - | ||
| 系列 | HEXFET® | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3210pF @ 25V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 10V | - | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3210pF @ 25V | - | ||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 10V | - | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 1,000 | 39 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 5天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF1010EPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@50A,10V N-Channel 60V 84A TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 | ||||
|
STP65NF06 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 132,750 | 对比 | ||||
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STP60NF06 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 24,450 | 对比 | ||||
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STP80NF55-08 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 24,000 | 对比 | ||||
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|
STP80NF55-08 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
￥5.313
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39 | 对比 | ||||
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PSMN015-60PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 86W 175°C 3V 60V 50A |
暂无价格 | 30 | 对比 |
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