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IRF1010EPBF  与  STP80NF55-08  区别

型号 IRF1010EPBF STP80NF55-08
唯样编号 A-IRF1010EPBF A3-STP80NF55-08
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ@50A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 84A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3210pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 24,000
工厂交货期 3 - 5天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1010EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 12mΩ@50A,10V N-Channel 60V 84A TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 24,000 对比
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.752 

阶梯数 价格
20: ¥4.752
100: ¥3.806
1,000: ¥3.52
4,204 对比
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥7.711 

阶梯数 价格
7: ¥7.711
70 对比
PSMN015-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-60PS_SOT78 N-Channel 86W 175℃ 3V 60V 50A

¥6.427 

阶梯数 价格
10: ¥6.427
50: ¥5.268
30 对比
STP60NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

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