IRF100B202 与 STP100N8F6 区别
| 型号 | IRF100B202 | STP100N8F6 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IRF100B202 | A-STP100N8F6 |
| 制造商 | Infineon Technologies | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 221W(Tc) | 176W |
| 上升时间 | - | 46ns |
| 漏源极电压Vds | 100V | 80V |
| Qg-栅极电荷 | - | 100nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 2V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 103ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | TO-220AB | TO-220-3 |
| 连续漏极电流Id | 97A(Tc) | 100A |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | STP100N8F6 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 下降时间 | - | 21ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 33ns |
| 导通电阻Rds(On) | 8.6mΩ@58A,10V | 8mΩ |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4476pF @ 50V | 5955pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 116nC @ 10V | 100nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF100B202 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 97A(Tc) 8.6mΩ@58A,10V ±20V 221W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 100V TO-220AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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STP100N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V |
￥3.504
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381 | 对比 | ||||||
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PSMN012-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT78 N-Channel 11mΩ@10V 148W 175°C 3V 80V 74A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STP100N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STP100N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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STP100N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220-3 100A 176W 8mΩ 80V 2V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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