首页 > 商品目录 > > > > IPW90R120C3XKSA1代替型号比较

IPW90R120C3XKSA1  与  IPW90R120C3  区别

型号 IPW90R120C3XKSA1 IPW90R120C3
唯样编号 A-IPW90R120C3XKSA1 A-IPW90R120C3
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 CoolMOS™ N-CH 900V 36A TO247-3 CoolMOS™ N-CH 900V 36A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 417W(Tc) -
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 120mΩ
上升时间 - 20ns
Qg-栅极电荷 - 270nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6800nF @ 100V -
栅极电压Vgs - 2.5V
封装/外壳 PG-TO247 PG-TO247
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 270nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 36A
配置 - Single
长度 - 16.13mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 120 毫欧 @ 26A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 25ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6800pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 2.9mA
高度 - 21.1mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 900V
Pd-功率耗散(Max) - 417W
典型关闭延迟时间 - 400ns
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 2.9mA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC3
25°C时电流-连续漏极(Id) 36A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 900V -
典型接通延迟时间 - 70ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 270nC @ 10V
库存与单价
库存 0 240
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW90R120C3XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel PG-TO247 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPW90R120C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW90R120C3FKSA1_-55°C~150°C(TJ) 900V 36A 120mΩ 2.5V 417W N-Channel PG-TO247

暂无价格 240 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售