首页 > 商品目录 > > > > IPW65R190C7XKSA1代替型号比较

IPW65R190C7XKSA1  与  FCH165N60E  区别

型号 IPW65R190C7XKSA1 FCH165N60E
唯样编号 A-IPW65R190C7XKSA1 A-FCH165N60E
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 72W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 400V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 290uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 5.7A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 13A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW65R190C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R190C7_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
R6020ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 120W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 120 对比
R6020ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 120W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

¥14.8911 

阶梯数 价格
20: ¥14.8911
23 对比
IPP65R190C7FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R190C7_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
R6020ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 20A(Tc) ±20V 120W(Tc) 196mΩ@9.5A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

¥52.7687 

阶梯数 价格
60: ¥52.7687
100: ¥29.9199
450: ¥18.9692
0 对比
FCH165N60E ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售