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IPW65R125C7XKSA1  与  IPP65R125C7  区别

型号 IPW65R125C7XKSA1 IPP65R125C7
唯样编号 A-IPW65R125C7XKSA1 A-IPP65R125C7
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 101W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 111mΩ
上升时间 - 15ns
Qg-栅极电荷 - 35nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1670pF @ 400V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-247-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 18A
配置 - Single
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 125 毫欧 @ 8.9A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 8ns
高度 - 15.65mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 101W
典型关闭延迟时间 - 71ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 440uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC7
25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
典型接通延迟时间 - 14ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW65R125C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 当前型号
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

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IPP65R125C7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比

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