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IPW65R125C7XKSA1  与  AOK42S60L  区别

型号 IPW65R125C7XKSA1 AOK42S60L
唯样编号 A-IPW65R125C7XKSA1 A-AOK42S60L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.7
功率耗散(最大值) 101W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 900mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 11.9
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1670pF @ 400V -
栅极电压Vgs - 30V
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 39A
Ciss(pF) - 2154
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 125 毫欧 @ 8.9A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 473
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 417W
Qrr(nC) - 10.5
VGS(th) - 3.8
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 440uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
Coss(pF) - 135
Qg*(nC) - 40
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW65R125C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R125C7_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 0 对比
IPP65R125C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R125C7_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOK42S60L AOS 功率MOSFET

TO-247 N-Channel 600V 30V 39A 417W 900mΩ@10V

暂无价格 0 对比
R6035ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 35A(Tc) ±20V 120W(Tc) 102mΩ@18.1A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 0 对比
IPP65R125C7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R125C7XKSA1_650V 18A 111mΩ 20V 101W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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