IPW65R110CFD 与 SIHG33N65EF-GE3 区别
| 型号 | IPW65R110CFD | SIHG33N65EF-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPW65R110CFD | A-SIHG33N65EF-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.21mm | 5.31mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 110mΩ@12.7A,10V | - |
| 上升时间 | 11ns | - |
| 漏源极电压Vds | 650V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 277.8W(Tc) | - |
| Qg-栅极电荷 | 118nC | - |
| 典型关闭延迟时间 | 68ns | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | PG-TO247-3 | TO-247AC-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 31.2A(Tc) | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 系列 | CoolMOSCFD2 | EF |
| 长度 | 16.13mm | 15.87mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 下降时间 | 6ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 16ns | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3240pF @ 100V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 1.3mA | - |
| 高度 | 21.1mm | 20.82mm |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 118nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPW65R110CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 277.8W(Tc) 110mΩ@12.7A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 31.2A(Tc) 650V PG-TO247-3 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIHG33N65EF-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247AC-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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